先进封装技术的驱动力
传统的集成电路IC芯片制程微缩（摩尔定律）带来性能提升的速度正在放缓，先进封装技术成为突破性能瓶颈的重要途径。通过将多个芯片（Die）在封装层面进行高密度集成，先进封装可以在不依赖更先进制程的情况下，显著提升系统性能和集成度。
这一趋势背后的驱动力包括：芯片制程微缩成本急剧上升（7nm以下制程一块掩膜版成本超千万美元）；系统集成需求（将CPU、内存、I/O集成在同一封装内减少互连延迟）；AI计算对高带宽内存（HBM）的需求。
主流先进封装技术解析
2.5D封装（Interposer/TSV技术）：多个IC芯片通过硅转接板（Silicon Interposer）或有机中介层横向互连，芯片间连接密度远高于传统PCB板级互连。NVIDIA A100等AI加速卡采用此方案集成GPU和HBM。
3D堆叠封装（3D-IC）：芯片垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）实现层间高密度互连。HBM（High Bandwidth Memory）是最成功的3D堆叠应用：多个DRAM Die堆叠后与逻辑芯片集成，带宽可达每秒数TB，是AI训练的关键使能技术。
Fan-Out封装（FOWLP/FOPLP）：将芯片嵌入环氧树脂基板中扇出重新布线，可在无基板的情况下实现高I/O密度，典型代表是台积电的InFO封装（用于Apple A系列芯片）。
国内先进封装产业现状
相比芯片制造，国内先进封装技术与国际先进水平差距相对较小。长电科技、通富微电、华天科技等封装企业已具备2.5D、3D等先进封装能力，在部分细分领域已接近国际一线水平。
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